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田村 浩司; 岡崎 哲治; 足立 肇; 大場 弘則; 柴田 猛順
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 38(4A), p.2122 - 2123, 1999/04
被引用回数：9 パーセンタイル：42.98(Physics, Applied)ウランイオン衝撃により、ウラン表面から放出される二次電子の放出係数を、イオン衝撃エネルギーが300~3000eVで測定した。ウラン表面はウランを蒸着して作り、ウランイオンはレーザーイオン源から生成した。二次電子は、しきいエネルギーの1000eV以下では発生しなかった。それ以上のエネルギーでは、二次電子放出係数はイオンエネルギーに比例して増加し、イオンエネルギー3000eVでは0.12になった。この結果からレーザーウラン濃縮における二次電子放出によるエネルギー損失は小さいことが明らかになった。
田村 浩司; 岡崎 哲治; 足立 肇; 大場 弘則; 柴田 猛順
JAERI-Research 98-073, 10 Pages, 1998/12
JAERI-Research-98-073.pdf:0.52MB
ウランイオン衝撃によるウラン表面からの二次電子放出係数をイオン衝撃エネルギー300~3000eVの範囲で測定した。ウラン表面はウラン原子の蒸着により作り、ウランイオンビームは共鳴イオン化法を用いたレーザーイオン源から引き出した。衝撃エネルギー約1000eV以下では、二次電子の放出はなかった。しきい値1000eV以上での二次電子放出係数は、イオン衝撃エネルギーのほぼ一次関数で増加し、3000eVの時0.12であった。
田村 浩司; 小倉 浩一; 柴田 猛順
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 37(9A), p.5005 - 5007, 1998/09
被引用回数：6 パーセンタイル：32.57(Physics, Applied)二次電子放出を測定する新しい方法を開発し、0.1~3keVの範囲でNdイオン衝撃によりNd表面から発生した二次電子放出収率を測定した。Ndイオンビームはレーザーイオン源から引き出され、電極表面はNd原子により連続的に蒸着されている。イオンビームの変動は、参照シグナルによりキャリブレートされている。二次電子は0.97keVのしきい値以下では放出されなかった。それ以上のエネルギーでは、入射イオンエネルギーに対し直線的に増加した。この結果から、入射イオン量に大きな変動のある場合でもレーザーイオン源からのイオンによる二次電子放出収率を求めることができることがわかった。
廣木 成治; 前原 直; 阿部 哲也; 村上 義夫
電気学会論文誌,A, 109(8), 372 Pages, 1989/00
核融合用高周波加熱装置の数GHz帯での真空封止窓には、主としてアルミナが使われてきた。しかし、アルミナは二次電子放出率(以下
とする)が最大6にもなるため、表面にの小さな窒化チタンなどを被覆してマルチパクタ放電に起因する割れを防ぐ方法が試みられている。一方、窒化アルミニウム(AlN)は熱伝導率がアルミナより格段に大きく、真空封止窓として有望であると考えられる。そこで、AlNのを測定した。測定は、AlNに電子ビームをパルス的に照射して、AlNから飛び出す二次電子(一次電子の反跳電子も含む)を半球状のコレクタで集める方法で行った。その結果、一次電子エネルギーが0.1~1.5keVでがほぼ1であり、マルチパクタ放電の抑制に有効であることが判った。
鳴海 一雅; 千葉 敦也; 山田 圭介; 的場 史朗; 齋藤 勇一
no journal, ,
A vicinage effect on secondary-electron (SE) emissions from a solid induced by swift molecular/cluster ions is one of the open questions of atomic collisions in solids. It cannot be explained by only the production process of the three-step model of SE emissions, which is closely related to the energy deposition by a projectile. We have investigated cluster-size dependence of SE yields emitted in the forward direction from amorphous C foils (2-100 
g/cm
) bombarded with 62.5-keV/u C
ions (
= 1-4) in order to demonstrate the vicinage effect not originating from the production process in the present study. Suppression of SE emissions (one of the vicinage effects) is observed and does not diminish in all the foils measured. The suppression effect is larger as the cluster size is larger. This dependence is observed for at least 60 g/cm, indicating that the effect originating from some physical mechanism exists even at the thick foils, where the contribution of the production process to the effect could be excluded on the basis of previous studies. This can lead to the conclusion that the vicinage effect not originating from the production process is demonstrated experimentally.
イオン衝撃により炭素薄膜から放出される二次電子収量のクラスターサイズ依存性鳴海 一雅; 千葉 敦也; 山田 圭介; 的場 史朗; 齋藤 勇一
no journal, ,
高速クラスターイオン衝撃による固体からの二次電子放出に対する近接効果は固体内原子衝突研究における未解明問題の一つである。この近接効果は、二次電子放出でよく知られた3ステップモデルにおける、入射粒子のエネルギー付与による二次電子の生成過程だけでは説明できない。本研究では、生成過程に由来しない近接効果の存在を実証するために、同じ速度のCイオン(=1-4)を、ビーム軸に対して45
傾けた厚さが異なる非晶質炭素薄膜(厚さ2-100g/cm)に照射し、前方(下流)に放出される二次電子収量のクラスターサイズ依存性を調べた。その結果、全ての厚さの膜で二次電子収量の抑制効果(1原子当たりの二次電子収量がC
の場合よりも小さい)が観測された。抑制効果は
の増大に伴って大きくなり、この傾向は少なくとも60g/cmの膜まで観測された。モンテカルロ法を用いて薄膜中の解離イオンの軌道を計算した結果、厚さ50g/cmで解離イオン間距離が十分大きくなるため、それより厚い膜では生成過程に由来する近接効果は除外してよい。したがって、この結果は、生成過程の寄与が除外できるような厚い膜でも、エネルギー付与以外の物理メカニズムに由来する近接効果、すなわち生成過程に由来しない近接効果が存在することを示している。
イオン衝撃による炭素薄膜からの二次電子放出に対する近接効果鳴海 一雅; 千葉 敦也; 山田 圭介; 的場 史朗; 齋藤 勇一
no journal, ,
高速クラスターイオンと固体標的との衝突においては、構成イオン同士の時空間隔が非常に近接していることに起因する効果(近接効果)が観測される。中でも固体からの二次電子放出に対する近接効果は固体内原子衝突研究における未解明問題の一つである。この近接効果は、二次電子放出でよく知られた3ステップモデルにおける、入射粒子のエネルギー付与による二次電子の生成過程だけでは説明できない。その一方で、生成過程に由来しない近接効果の存在は実証されていない。そこで、これを実証するために、同じ速度のCイオン(=1-4)を、ビーム軸に対して45傾けた厚さが異なる非晶質炭素薄膜(厚さ2-100g/cm)に照射し、前方に放出される二次電子収量のクラスターサイズ依存性を調べた。得られた結果は、全ての厚さの膜で二次電子収量の抑制効果(1原子当たりの二次電子収量がCの場合よりも小さい)を示し、この抑制効果は少なくとも60g/cmの膜までの増大に伴って大きくなった。モンテカルロ法を用いて薄膜中の解離イオンの軌道を計算したところ、厚さ50g/cmで解離イオン間距離が十分大きくなるため、それより厚い膜では生成過程に由来する近接効果は除外してよいことがわかった。したがって、この結果は、生成過程の寄与が除外できるような厚い膜でも、エネルギー付与以外の物理メカニズムに由来する近接効果、すなわち生成過程に由来しない近接効果が存在することを示している。
鳴海 一雅; 千葉 敦也; 山田 圭介; 的場 史朗; 齋藤 勇一
no journal, ,
高速クラスターイオンと固体標的との衝突においては、構成イオンの時間的・空間的間隔が非常に近接していることに起因する効果(近接効果)が観測される。固体からの二次電子放出に対する近接効果は、二次電子放出の3つの過程(二次電子の生成, 輸送, 透過)のうち、生成過程における近接効果だけでは説明できない。その一方で、生成過程以外の過程における近接効果は実証されていない。そこで、これを実証するために、62.5keV/uのCイオン(=1-4)を、ビーム軸に対して45傾けた7種類の厚さ(2-100g/cm)の非晶質炭素薄膜に照射し、前方に放出される二次電子収量を測定した。得られた結果は、今回の実験で用いた膜厚の範囲において、1原子当たりの二次電子収量がCの場合よりも少なくなることを示した。の増大に伴って収量がより減少することから、観測結果がクラスターイオン照射に由来するのは明白である。モンテカルロ法を用いて薄膜(1-50g/cm)中の解離イオンの軌道シミュレーションをした結果、膜の厚さに伴って解離イオン間距離が長くなり、50g/cm程度で、生成過程における近接効果がほとんど寄与しないほど解離イオン間距離が十分長くなった。したがって、それより厚い膜では生成過程における近接効果は除外してよいことがわかった。この結果は、二次電子の生成過程以外の過程においても近接効果が存在することを示している。
